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包括一基底;二导电特征

作者:ope体育    来源:网络整理    发布时间:2021-08-18 02:42    浏览量:

具有递变多孔介电布局的半导体元件的建造要领


本果真主张2020年2月12日申请的美国正式申请案第16/789,091号的优先权及益处,该美国正式申请案的内容以全文引用的方法并入本文中。

本果真涉及一种半导体元件。出格涉及一种具有一递变多孔介电布局的半导体元件



配景技能:

半导体元件是利用在差异的电子应用,譬喻小我私家电脑、手机、数码相机,或其他电子设备。半导体元件的尺寸是逐渐地变小,以切合计较本领所逐渐增加的需求。然而,在尺寸变小的工艺期间,是增加差异的问题,且这些问题是在数量及巨大度方面一连增加。因此,仍然一连着在到达改进品质、良率以及靠得住度方面的挑战。

上文的“现有技能”说明仅是提供配景技能,并未认可上文的“现有技能”说明果真本果真的标的,不构本钱果真的现有技能,且上文的“现有技能”的任何说明均不该作为本果真的任一部门。



技能实现要素:

本果真的一实施例提供一种半导体元件,包罗一基底;二导电特征,彼此远离配置,并位于该基底上;一递变多孔介电布局,位于该二导电特征之间;以及一介电层,位于个中一导电特征与该递变多孔介电布局之间;个中该递变多孔介电布局包罗一第一部门以及一第二部门,该第一部门具有一第一孔隙率,该第二部门具有一第二孔隙率,且该第二孔隙率高于该第一孔隙率。

在本果真的一些实施例中,该递变多孔介电布局包罗一能量可移除质料,该能量可移除质料包括一基本质料以及一可解析多孔剂质料。

在本果真的一些实施例中,该基本质料包罗氧化硅,且该可解析多孔剂质料包罗含有多个不饱和键的化合物。

在本果真的一些实施例中,该二导电特征为打仗点。

在本果真的一些实施例中,该二导电特征为二源极/漏极区,该二源极/漏极区位于相近一栅极布局的两侧处。

在本果真的一些实施例中,该二导电特征具有一栅极布局以及一源极/漏极区,而该递变多孔介电布局则位于该源极/漏极区与该栅极布局之间。

在本果真的一些实施例中,该半导体元件还包罗一多孔盖层,位于该二导电特征上,个中该多孔盖层的一孔隙率是介于约莫25%到约莫100%之间。

在本果真的一些实施例中,该半导体元件还包罗二源极/漏极区,个中该多孔盖层位于该二源极/漏极区之间。

在本果真的一些实施例中,该半导体元件还包罗二下蚀刻终止层,位于该二源极/漏极区下。

在本果真的一些实施例中,该半导体元件还包罗一栅极布局以及一鳍件,该鳍件位于该栅极布局与该基底之间。

在本果真的一些实施例中,该鳍件包罗一突出部以及二凹陷部,该二凹陷部位于相近该突出部的两侧处,个中该突出部的一上外貌位于一垂直高度,是高于该等凹陷部的上外貌的一垂直高度,该栅极布局位于该突出部上,且该二源极/漏极区位于该等凹陷部上。

在本果真的一些实施例中,该半导体元件还包罗一第一终止层,位于该鳍件与该基底之间。

在本果真的一些实施例中,该第一终止层具有一厚度,是介于约莫1nm到约莫50m之间。

在本果真的一些实施例中,该半导体元件还包罗多个包围层,位于该二源极/漏极区上,个中该多个包围层由金属硅化物所制。

本果真的另一实施例提供一种半导体元件,包罗:一基底;一栅极布局,位于该基底上;二源极/漏极区,位于相近该栅极布局的两侧处;一递变多孔介电布局,位于该栅极布局与该等源极/漏极区之间,个中该递变多孔介电布局沿一偏向具有一递变孔隙率,该偏向是从该栅极布局到该等源极/漏极区;以及一断绝层,配置在该二多孔间隙子与该多孔盖层上。

在本果真的一些实施例中,该半导体元件还包罗二下蚀刻终止层,位于该二多孔间隙子下方。

在本果真的一些实施例中,该递变多孔介电布局包罗一能量可移除质料,该能量可移除质料包括一基本质料以及一可解析多孔剂质料,该基本质料包罗氧化硅,而该可解析多孔剂质料包罗含有多个不饱和键的化合物。

在本果真的一些实施例中,该半导体元件还包罗一鳍件,位于该栅极布局与该基底之间。

在本果真的一些实施例中,该鳍件包罗一突出部以及二凹陷部,该二凹陷部位于相近该突出部的两侧处,个中该突出部的一上外貌位于一垂直高度,是高于该等凹陷部的上外貌的一垂直高度,该栅极布局是位于该突出部上,且该二源极/漏极区位于该等凹陷部上。

在本果真的一些实施例中,该半导体元件还包罗一第一终止层,位于该鳍件与该基底之间。

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